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半导体工艺气体纯化新科技
半导体器件变得越来越小，几何结构越来越复杂，使用的材料越来越多，给工艺气体的纯度带来了更大的挑战。
更多的工艺步骤意味着消耗更多的工艺气体。现在，即使气体供应中有微量污染物，也会对芯片性能产生不可忽略的影响。因此，工艺气体净化显的日益重要。
气体和化学品的纯度在先进半导体和存储设备的性能和可靠性方面发挥着重要作用。为了保持竞争力，许多半导体制造商提高了产量，从而增加了气体的总消耗量。因此，对污染物采取必要的净化措施势在必行。
工作流程；原料氢气经流量计进入管道与原料氮气一起进入除氧器中，在钯催化剂中充分化合，生成水汽被大量氮气带离除氧器经冷却器逐步冷却，再由冷干机降至常温后进入干燥塔，氮气中水分都被5A分子筛物理吸附而除去，纯化后氮气经氮气出口阀去用户工艺点。
再生流程，部分纯氮去单向阀前由手动阀门被导向另一处于再生状态的干燥塔，此时，再生干燥塔内温度升至350℃，在此温度下，被5A分子筛吸入的水分获得大量能量，迅速从分子筛中逸出，被导入塔内的高纯氮带离分子筛，经放空阀排出，由于程控器的控制作用，再生干燥塔继续通入纯氮（此时加热棒停止加热）使之冷却至常温，以便切换时即可进入工作状态。
一塔可连续工作24小时，另一塔再生加热10小时，强迫吹冷14小时，当冷却到常温时，手动切换二个干燥器塔，使之连续工作(干燥塔基本采用气动阀自动转换)。
管道上有取样阀，可连接微氧仪和微水仪进行检测。
